文献

J-GLOBAL ID：200902215379641065   整理番号：04A0104424

高破壊電圧AlGaN-GaN電力HEMT設計と高電流密度スイッチング挙動

High Breakdown Voltage AlGaN-GaN Power-HEMT Design and High Current Density Switching Behavior

著者 (7件)： SAITO W (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TAKADA Y (Toshiba Res. and Dev. Center, Kawasaki, JPN) ,  KURAGUCHI M (Toshiba Res. and Dev. Center, Kawasaki, JPN) ,  TSUDA K (Toshiba Res. and Dev. Center, Kawasaki, JPN) ,  OMURA I (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OGURA T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OHASHI H (Toshiba Res. and Dev. Center, Kawasaki, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 50  号： 12  ページ： 2528-2531  発行年： 2003年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 破壊電圧が600VのAlGaN-GaN電力HEMTを作製し,...

シソーラス用語： *HEMT ,...
準シソーラス用語： フィールドプレート

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0104424&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0222A") }}

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 破壊電圧 ,  AlGaN ,  GaN ,  電力HEMT ,  設計 ,  高電流密度 ,  スイッチング ,  挙動