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J-GLOBAL ID：200902215740903932   整理番号：09A0083209

ゲルマニウム結晶中のホウ素の偏析

Segregation of boron in germanium crystal

著者 (4件)： TAISHI T. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  MURAO Y. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  OHNO Y. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  YONENAGA I. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 311  号： 1  ページ： 59-61  発行年： 2008年12月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高濃度ホウ素(B)ドープしたゲルマニウム(Ge)バルク結晶は,Czochralski法で成長した。結晶中のホウ素濃度は,Hall効果によるキャリア濃度測定および,抵抗測定で算出した。Ge中のBの最大溶解度は,2.5×1018cm^-3と見積もった。Ge中のBの平衡偏析係数は,5~6と考察したが,以前に報告された値よりも非常に小さかった。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *ドーピング ,  ホウ素 ,  半導体 ,  *Hall効果 ,  キャリア密度 ,  電気抵抗 ,  *偏析 ,  *Czochralski法 ,  単結晶

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲルマニウム ,  結晶 ,  ホウ素 ,  偏析