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J-GLOBAL ID：200902215760306965   整理番号：04A0027068

ダイヤモンドin-plane-gated FETのヒステリシス特性

著者 (6件)： 伊藤裕 (早稲田大 理工) ,  澄川雄 (早稲田大 理工) ,  小林健作 (早稲田大 理工) ,  立木実 (早稲田大 理工) ,  梅沢仁 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (早稲田大 理工)
資料名： ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集
巻： 17th  ページ： 192-193  発行年： 2003年11月26日 
JST資料番号： L1241A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,...
準シソーラス用語： プラズマプロセシング ,...

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分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ダイヤモンド ,  FET ,  ヒステリシス特性