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J-GLOBAL ID：200902215788206974   整理番号：09A1030332

フェムト秒レーザ照射によるシリコンウェーハの周期的パターニングと異方性エッチングによる微細構造形成

Femtosecond Laser Patterning and Anisotropic Wet Etching of Silicon Wafer for Fabrication of Periodic Structures

著者 (4件)： 川原公介 (キヤノンマシナリー) ,  二宮孝文 (キヤノンマシナリー) ,  沢田博司 (キヤノンマシナリー) ,  横谷篤至 (宮崎大 工)
資料名： 精密工学会誌(CD-ROM)  (精密工学会誌論文集)
巻： 75  号： 10  ページ： 1211-1215  発行年： 2009年10月05日 
JST資料番号： F0268B  ISSN： 1348-8716  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究ではフェムト秒レーザ照射による表面周期構造形成で,照射エネルギーを可能な限り低く調整し,シリコンウェーハ表面が周期的かつ離散的に変質する加工を行い,水酸化カリウム(KOH)水溶液によりその変質層をエッチマスクとして機能させる異方性エッチングを併用することで,従来のフェムト秒レーザ照射による微細構造形成法では困難であった新規形状を作製した。これにより得た主な知見を次に示した。1)シリコンウェーハに対するフェムト秒レーザの走査照射では照射条件を調整することにより離散的な蒸散加工による表面改質が可能であること,2)周期構造形成部は表面酸化と結晶性の変化が誘起されKOHに対する耐性を示すこと,3)フェムト秒レーザによる周期構造形成と異方性エッチングを組合わせることにより従来の波板構造とは異なり断面が矩形の突起形状が得られること。

シソーラス用語： ケイ素 ,  *ウエハ【IC】 ,  *パターン形成 ,  パルスレーザ ,  *パルスレーザ照射 ,  周期的形態 ,  エッチング ,  微細構造 ,  アモルファスシリコン ,  水酸化カリウム ,  レーザアブレーション ,  *フェムト秒レーザ
準シソーラス用語： *異方性エッチング ,  *シリコンウエハ

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (5件)： フェムト秒レーザ ,  シリコンウェーハ ,  パターニング ,  異方性エッチング ,  微細構造