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J-GLOBAL ID：200902216016877861   整理番号：08A1036327

シリコン太陽電池のI-V特性と性能パラメターの温度依存性

Temperature dependence of I-V characteristics and performance parameters of silicon solar cell

著者 (4件)： SINGH Priyanka (Div. of Electronic Materials, National Physical Lab., Dr. K.S. Krishnan Marg, New Delhi 110012, IND) ,  SINGH S.n. (Div. of Electronic Materials, National Physical Lab., Dr. K.S. Krishnan Marg, New Delhi 110012, IND) ,  LAL M. (Div. of Electronic Materials, National Physical Lab., Dr. K.S. Krishnan Marg, New Delhi 110012, IND) ,  HUSAIN M. (Dep. of Physics, Jamia Millia Islamia, New Delhi, IND)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 92  号： 12  ページ： 1611-1616  発行年： 2008年12月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン太陽電池の開放電圧(V_oc)と曲線係数(CF)の温度依存性が,温度範囲295-320Kで調査された。温度(T)によるV_oc減少速度は,バンドギャップエネルギー値(E_g),シャント抵抗(R_sh),Tの変化率によって制御される。R_shはTにより,ほぼ直線的に減少し,dV_oc/dTへの影響は,小さなR_sh値の電池に関し,著しいことがわかった。また,直列抵抗は,電圧によりほぼ直線的に変化する。CFはR_sと他のパラメタの値に依存するだけではなく,電圧によるR_s変化率にも依存する。電圧とTによるR_sの減少速度は,正確に,CF値と温度に従ったその減少を推定するために重要である。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  ケイ素 ,  *電流電圧特性 ,  *温度依存性 ,  電圧 ,  電気抵抗 ,  バンドギャップ ,  直列抵抗
準シソーラス用語： シャント抵抗 ,  シリコン ,  開放電圧

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン太陽電池 ,  パラメター ,  温度依存性