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J-GLOBAL ID：200902216041270319   整理番号：09A0242265

ケミカルエッチングをしたSrTiO₃の深さ分解表面下欠陥

Depth-resolved subsurface defects in chemically etched SrTiO₃

著者 (7件)： ZHANG Jun (Dep. of Physics, Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA) ,  DOUTT D. (Dep. of Physics, Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA) ,  MERZ T. (Dep. of Physics, Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA) ,  CHAKHALIAN J. (Dep. of Physics, Univ. of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  KAREEV M. (Dep. of Physics, Univ. of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  LIU J. (Dep. of Physics, Univ. of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  BRILLSON L. J. (Dep. of Electrical and Computer Engineering and Dep. of Physics, Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 9  ページ： 092904  発行年： 2009年03月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TiO₂終端の原子的に平坦なSrTiO₃単結晶表面の深さ分解カソードルミネセンス分光から,緩和したHF(BHF)での通常のエッチングとHCl-HNO₃酸溶液(HCLNO)を用いた代替法により生じた固有点欠陥に著しい相違があった。HCLNOでは酸素アニーリング前で三倍少ない酸素空孔が生じ,後にほぼ一桁低くなる。BHFにより生じた欠陥密度は表面下数百ナノメータに達するが,より低いHCLNO処理の密度は50nm以下であった。この「Arkansas」HCLNOエッチング及びアニール法はHF処理を必要とせず,複合酸化物へテロ構造の成長で低固有欠陥密度の高品位SrTiO₃表面が得られる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  *基板 ,  *チタン酸ストロンチウム ,  単結晶 ,  塩酸 ,  硝酸 ,  混合液体 ,  エッチング ,  焼なまし ,  空格子点 ,  深さプロフィル
準シソーラス用語： 化学エッチング ,  アニール ,  酸素空孔

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ケミカル ,  エッチング ,  分解 ,  欠陥