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J-GLOBAL ID：200902216104888121   整理番号：03A0230229

ボンドしたSOI(絶縁層上の半導体)のために超低COP(結晶由来の微粒子)数のウエハを製作する優れた手法

A novel method to prepare wafers with very low COPs for bonded SOI.

著者 (2件)： VASAT J L (MEMC Electronic Materials Inc., Missouri) ,  TORACK T (MEMC Electronic Materials Inc., Missouri)
資料名： Solid State Technology  (Solid State Technology)
巻： 46  号： 3  ページ： 63-64,66  発行年： 2003年03月 
JST資料番号： E0226A  ISSN： 0038-111X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si単結晶をCzochralski法で製作するときに高速度で...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (10件)： ボンド ,  SOI ,  絶縁層 ,  COP ,  結晶 ,  微粒子 ,  数 ,  ウエハ ,  製作 ,  手法