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J-GLOBAL ID:200902216244566582   整理番号:06A0594390

半導体アナターゼTiO2-δ膜における880Kまでの酸素欠陥誘起磁性

Oxygen-defect-induced magnetism to 880 K in semiconducting anatase TiO2-δ films
著者 (9件):
資料名:
巻: 18  号: 27  ページ: L355-L361  発行年: 2006年07月12日 
JST資料番号: B0914B  ISSN: 0953-8984  CODEN: JCOMEL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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磁性半導体材料の成長はスピントロニクスへの応用可能性のために...
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酸化物結晶の磁性 
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