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J-GLOBAL ID:200902217026635676   整理番号:05A0579693

強く光励起した半導体における有効質量異方性と有効質量差の効果

Effects of Effective Mass Anisotropy and Effective Mass Difference in Highly Photoexcited Semiconductors
著者 (5件):
資料名:
巻: 74  号:ページ: 1745-1749  発行年: 2005年06月15日 
JST資料番号: G0509A  ISSN: 0031-9015  CODEN: JUPSA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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励起子 
引用文献 (32件):
  • 1) L. V. Keldysh and Yu. V. Kopaev: Fiz. Tverd. Tela 6 (1964) 2791 [Sov. Phys. Solid State 6 (1965) 2219].
  • 2) L. V. Keldysh and A. N. Kozlov: Zh. Eks. Teor. Fiz. 54 (1968) 978 [Sov. Phys. JETP 27 (1968) 521].
  • 3) R. Shimano, M. Nagai, K. Horiuch and M. Kuwata-Gonokami: Phys. Rev. Lett. 88 (2002) 057404.
  • 4) C. A. Regal, M. Greiner and D. S. Jin: Phys. Rev. Lett. 92 (2004) 040403.
  • 5) M. W. Zwierlein, C. A. Stan, C. H. Schunck, S. M. F. Raupach, A. J. Kerman and W. Ketterle: Phys. Rev. Lett. 92 (2004) 120403.
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