強く光励起した半導体における有効質量異方性と有効質量差の効果

MIZOO Kazumasa; MIZOO Kazumasa; INAGAKI Takeshi J.; UESHIMA Yutaka; AIHARA Masaki

文献

J-GLOBAL ID：200902217026635676 整理番号：05A0579693

強く光励起した半導体における有効質量異方性と有効質量差の効果

Effects of Effective Mass Anisotropy and Effective Mass Difference in Highly Photoexcited Semiconductors

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資料名：
巻： 74 号： 6 ページ： 1745-1749 発行年： 2005年06月15日
JST資料番号： G0509A ISSN： 0031-9015 CODEN： JUPSA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

様々な温度にある強く励起された半導体において,電子と正孔の有...

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励起子

引用文献 (32件)：

1) L. V. Keldysh and Yu. V. Kopaev: Fiz. Tverd. Tela 6 (1964) 2791 [Sov. Phys. Solid State 6 (1965) 2219].
2) L. V. Keldysh and A. N. Kozlov: Zh. Eks. Teor. Fiz. 54 (1968) 978 [Sov. Phys. JETP 27 (1968) 521].
3) R. Shimano, M. Nagai, K. Horiuch and M. Kuwata-Gonokami: Phys. Rev. Lett. 88 (2002) 057404.
4) C. A. Regal, M. Greiner and D. S. Jin: Phys. Rev. Lett. 92 (2004) 040403.
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