In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As量子ドットにおける励起子デコヒーレンス過程に対する励起子分子効果

GOTOH H; KAMADA H; SAITOH T; ANDO H; TEMMYO J

文献

J-GLOBAL ID：200902217127059587 整理番号：04A0484132

In_xGa_1-xAs量子ドットにおける励起子デコヒーレンス過程に対する励起子分子効果

Effects of biexcitons on exciton decoherence processes in In_xGa_1-xAs quantum dots

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資料名：
巻： 69 号： 15 ページ： 155328.1-155328.8 発行年： 2004年04月
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

励起子デコヒーレンス(デフェージング)特性を標題量子ドットの...

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励起子 , 半導体のルミネセンス

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InxGa1-xAs量子ドットにおける励起子デコヒーレンス過程に対する励起子分子効果

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