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J-GLOBAL ID：200902217297798341   整理番号：04A0198129

プラズマ増強CVD法による半導体単層炭素ナノチューブの優先的成長

Preferential Growth of Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotubes by a Plasma Enhanced CVD Method

著者 (9件)： LI Y (Stanford Univ., California) ,  MANN D (Stanford Univ., California) ,  ROLANDI M (Stanford Univ., California) ,  KIM W (Stanford Univ., California) ,  URAL A (Stanford Univ., California) ,  HUNG S (Stanford Univ., California) ,  JAVEY A (Stanford Univ., California) ,  CAO J (Stanford Univ., California) ,  WANG D (Stanford Univ., California)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 4  号： 2  ページ： 317-321  発行年： 2004年02月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層炭素ナノチューブ(SWNT)を600°Cにおけるプラズマ増...

シソーラス用語： *ナノチューブ ,...

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分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ増強CVD ,  単層 ,  炭素ナノチューブ ,  優先 ,  成長