文献

J-GLOBAL ID：200902217409149180   整理番号：09A1174163

各画素の能動フィードバック動作を使ったランダム雑音が1.9e^-のCMOSイメージセンサ

A 1.9 e^- Random Noise CMOS Image Sensor With Active Feedback Operation in Each Pixel

著者 (5件)： LEE Woonghee (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  AKAHANE Nana (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ADACHI Satoru (Texas Instruments Japan Ltd., Ibaraki, JPN) ,  MIZOBUCHI Koichi (Texas Instruments Japan Ltd., Ibaraki, JPN) ,  SUGAWA Shigetoshi (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 56  号： 11  ページ： 2436-2445  発行年： 2009年11月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高感度・低照度イメージングのために提案された横型オーバーフロー蓄積容量(LOFIC)を用いたCMOSイメージセンサに関して,さらなる高SN比アプローチを述べた。画素ソースフォロワのゲートソース容量による容量性フィードバック効果を積極的に利用する。この能動フィードバック動作を適用して,ランダム雑音が1.9e^-のイメージセンサを開発した。飽和容量とフローティング拡散の設計が独立に最適化できるため,能動フィードバック動作はLOFICイメージセンサに適している。0.18μm技術によって作製した640×480画素イメージセンサチップで,通常動作との比較で,約1.7倍の感度向上を得た。入力基準変換利得は210μV/e^-,入力基準ノイズは1.9e^-となった。130000e^-という高い飽和容量も得た。

シソーラス用語： *イメージセンサ ,  容量 ,  帯電 ,  SN比 ,  フィードバック ,  利得 ,  雑音低減 ,  電子回路 ,  ダイナミックレンジ
準シソーラス用語： *CMOSイメージセンサ ,  画素回路 ,  変換利得

分類 (2件)： 撮像・録画装置  (ND12032E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 画素 ,  フィードバック ,  ランダム雑音 ,  CMOSイメージセンサ