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J-GLOBAL ID:200902217447526612   整理番号:08A0321197

NaxTiyNi1-x-yO(x=0.05?0.30,y=0.02)の微細構造と誘電性質

Microstructure and dielectric properties of NaxTiyNi1-x-yO(x = 0.05-0.30, y = 0.02)
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資料名:
巻: 41  号:ページ: 065403,1-6  発行年: 2008年03月21日 
JST資料番号: B0092B  ISSN: 0022-3727  CODEN: JPAPBE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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高い誘電材料のNaxTiyNi1-x-yO(NaTNO)の微細構造を走査電子顕微鏡法によって調査した。振動数範囲10-107HzでのNaTNOセラミックの誘電分散とインピーダンスについて議論した。LixTiyNi1-x-yO(LTNO)やKxTiyNi1-x-yO(KTNO)の誘電率(ε’)と比べ,NaTNOの誘電率は比較的低い値であった。その原因はNaTNOのミクロ構造の典型的な識別のふるまいの結果と考えられる。交流のインピーダンスの分光法的な研究によって,結晶粒と結晶粒界の異なった電気物性から生じる内部のバリア層静電容量効果がこの非強誘電材料の高い誘電体誘電率の原因となるのを示した。Na含有量の増加に従って,低振動数(<100kHz)と高振動数(>100kHz)振動数範囲の誘電分散の強度比は増加します。境界層静電容量式メカニズムによって予測されたNaTNOのε’からの測定ε’の違いは典型的な微細構造の結果と考えられる。
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誘電体一般 
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