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J-GLOBAL ID：200902217506837562   整理番号：09A0404790

バースト送信を用いた11Gb/s誘導結合リンク

An 11Gb/s Inductive-Coupling Link with Burst Transmission

著者 (6件)： MIURA Noriyuki (Keio Univ., Yokohama, JPN) ,  KOHAMA Yoshinori (Keio Univ., Yokohama, JPN) ,  SUGIMORI Yasufumi (Keio Univ., Yokohama, JPN) ,  ISHIKURO Hiroki (Keio Univ., Yokohama, JPN) ,  SAKURAI Takayasu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KURODA Tadahiro (Keio Univ., Yokohama, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 2008 Vol.1  ページ： 298-299,614  発行年： 2008年 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 距離15μmで11Gb/sおよび距離45μmで8.5Gb/sのデータ速度を有する誘導結合リンクを示した。0.18μm CMOS(f_T=60GHz)により製作した誘導結合送受信機は11Gb/sのデータ速度で動作した。このリンクは1.4pJ/bのエネルギー効率を示し,データ速度はこれまでの誘導結合リンクの8.5~11倍に増加した。また,容量結合リンクと比較して,同じデータ速度,レイアウト面積,およびBERで,通信距離を5倍拡大できた。高速度誘導結合リンクを利用したバースト送信はリンクの数とレイアウト面積を低減でき,6.4Gb/sのバースト送信ではレイアウト面積を1/3に低減した。また,90nm CMOSを用いたときのシミュレーション性能と0.18μm CMOSを用いたときの測定結果との比較を示した。

シソーラス用語： 送信 ,  電磁結合 ,  結合回路 ,  半導体プロセス ,  *送受信機 ,  伝送速度 ,  エネルギー効率 ,  距離 ,  レイアウト ,  誤り率
準シソーラス用語： BER【誤り率】 ,  CMOSプロセス ,  データ速度 ,  *バースト送信 ,  *高周波リンク ,  通信距離 ,  *誘導結合

分類 (2件)： 無線通信一般  (ND08010L) ,  混成集積回路  (NC03163K)

タイトルに関連する用語 (3件)： バースト ,  誘導結合 ,  リンク