文献

J-GLOBAL ID：200902217509716707   整理番号：09A0110460

ナローギャップ半導体FeGa₃の熱電気および磁気特性

Thermoelectric and Magnetic Properties of a Narrow-Gap Semiconductor FeGa₃

著者 (5件)： HADANO Yuta (Hiroshima Univ., Hiroshima) ,  NARAZU Shouta (Hiroshima Univ., Hiroshima) ,  AVILA Marcos A. (Hiroshima Univ., Hiroshima) ,  ONIMARU Takahiro (Hiroshima Univ., Hiroshima) ,  TAKABATAKE Toshiro (Hiroshima Univ., Hiroshima)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 78  号： 1  ページ： 013702.1-013702.4  発行年： 2009年01月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga自己フラックス法で調製されたFeGa₃の単結晶試料の輸送,熱,および磁気測定を報告する。300Kより高い温度における抵抗率とHall係数は,それぞれエネルギーギャップ0.47および0.54eVの半導体挙動を示し,バンドギャップの計算値に一致する。100-260Kの飽和領域で,キャリア移動度は,温度に関し変わった依存性μ(T)∝T^-5/2を示す。熱出力は300Kで-350μV/Kの大きい負の最小値を持つ。反磁性磁化率は温度に弱く依存し,局所磁気モーメントの不在を確認する。比熱のT線形係数は,0.03mJ/(K2/mol)で,FeベースのKondo半導体のFeSiおよびFeSb2の報告値より2桁小さい。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 鉄化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  単結晶 ,  電気抵抗率 ,  Hall移動度 ,  Hall効果 ,  バンドギャップ ,  キャリア移動度 ,  反磁性 ,  *磁化率 ,  Kondo効果 ,  *熱起電力 ,  *化合物半導体 ,  金属間化合物
準シソーラス用語： Hall係数 ,  ナローギャップ半導体

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

引用文献 (27件)：

• BASOV, D. N. Phys. Rev. Lett. 1994, 73, 1865
• NISHIO, Y. Phys. Rev. Lett. 1997, 79, 1909
• JACCARINO, V. Phys. Rev. 1967, 160, 476
• SCHLESINGER, Z. Phys. Rev. Lett. 1993, 71, 1748
• MANDRUS, D. Phys. Rev. B. 1995, 51, 4763

タイトルに関連する用語 (3件)： ナローギャップ半導体 ,  熱電気 ,  磁気特性