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J-GLOBAL ID：200902217679063040   整理番号：08A0844820

ヨウ素をドーピングしたa-C:H膜の脱ドーピング現象

Dedoping phenomenon of iodine-doped a-C:H films

著者 (4件)： YAMAZATO M. (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Univ. of the Ryukyus, 1, Senbaru, Nishihara, Okinawa 903-0213, JPN) ,  SAIDA Y. (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Univ. of the Ryukyus, 1, Senbaru, Nishihara, Okinawa 903-0213, JPN) ,  HIGA A. (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Univ. of the Ryukyus, 1, Senbaru, Nishihara, Okinawa 903-0213, JPN) ,  TOGUCHI M. (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Univ. of the Ryukyus, 1, Senbaru, Nishihara, Okinawa 903-0213, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 17  号： 7-10  ページ： 1652-1654  発行年： 2008年07月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化無定形炭素(a-C:H)薄膜を石英ガラス基板にRF(60MHz)マグネトロンスパッタリング法で蒸着した。ヨウ素ドーピングを,Arが流れている容器中で行い,膜をヨウ素の横に置いた。ドーピングの間,膜とヨウ素温度は100°Cに保持した。ヨウ素のドーピングの後には,a-C:Hの光学ギャップは2.61eVから0.91eVまで減少し,電気伝導率は1.82×10^-12S/cmから1.13×10^-8S/cmまで増加した。脱ドーピング現象が観察され,これらの光学特性と電気特性は前の状態に戻った。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *DLC膜 ,  薄膜 ,  ガラス状炭素 ,  マグネトロンスパッタリング ,  ドーピング ,  ドーパント ,  ヨウ素 ,  光学的性質 ,  電気伝導率 ,  添加物効果 ,  *ダイヤモンド状炭素

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ヨウ素 ,  ドーピング ,  現象