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J-GLOBAL ID：200902217747959820   整理番号：09A0734174

非晶質酸化インジウムガリウム亜鉛薄膜トランジスタにより駆動されたポリイミドプラスチック基板上のフレキシブルフルカラー有機発光ダイオードディスプレイ

Flexible full color organic light-emitting diode display on polyimide plastic substrate driven by amorphous indium gallium zinc oxide thin-film transistors

著者 (10件)： PARK Jin-seong (Technol. Center, Samsung Mobile Display Co. LTD, 428-5, Nongseo-Dong, Kiheung-Ku, Yongin-City, Kyungki-Do 449-577, KOR) ,  KIM Tae-woong (Technol. Center, Samsung Mobile Display Co. LTD, 428-5, Nongseo-Dong, Kiheung-Ku, Yongin-City, Kyungki-Do 449-577, KOR) ,  STRYAKHILEV Denis (Technol. Center, Samsung Mobile Display Co. LTD, 428-5, Nongseo-Dong, Kiheung-Ku, Yongin-City, Kyungki-Do 449-577, KOR) ,  LEE Jae-sup (Technol. Center, Samsung Mobile Display Co. LTD, 428-5, Nongseo-Dong, Kiheung-Ku, Yongin-City, Kyungki-Do 449-577, KOR) ,  AN Sung-guk (Technol. Center, Samsung Mobile Display Co. LTD, 428-5, Nongseo-Dong, Kiheung-Ku, Yongin-City, Kyungki-Do 449-577, KOR) ,  PYO Yong-shin (Technol. Center, Samsung Mobile Display Co. LTD, 428-5, Nongseo-Dong, Kiheung-Ku, Yongin-City, Kyungki-Do 449-577, KOR) ,  LEE Dong-bum (Technol. Center, Samsung Mobile Display Co. LTD, 428-5, Nongseo-Dong, Kiheung-Ku, Yongin-City, Kyungki-Do 449-577, KOR) ,  MO Yeon Gon (Technol. Center, Samsung Mobile Display Co. LTD, 428-5, Nongseo-Dong, Kiheung-Ku, Yongin-City, Kyungki-Do 449-577, KOR) ,  JIN Dong-un (Technol. Center, Samsung Mobile Display Co. LTD, 428-5, Nongseo-Dong, Kiheung-Ku, Yongin-City, Kyungki-Do 449-577, KOR) ,  CHUNG Ho Kyoon (Technol. Center, Samsung Mobile Display Co. LTD, 428-5, Nongseo-Dong, Kiheung-Ku, Yongin-City, Kyungki-Do 449-577, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 95  号： 1  ページ： 013503  発行年： 2009年07月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質酸化インジウムガリウム亜鉛薄膜トランジスタZ(a-IGZO TFT)により駆動された,ポリイミド(PI)基板上の6.5インチフレキシブルフルカラートップ発光能動マトリクス有機発光ダイオードディスプレイを作製した。a-IGZO TFTは,15.1cm²/Vsの電界効果移動度(μ_FE),0.25V/decのサブスレショルド勾配,0.9Vの閾値電圧(V_th)を示した。15Vにおける1時間長ゲートバイアス後のバイアス不安定性を含めた,PI基板上のTFTの電気特性は,ガラス基板上のものと違いが分からないほどであり,高度の空間一様性を示した。10μm厚PI基板上のTFT試料は,引張り及び圧縮下でのR=3mmまでの曲げに,ほとんど性能劣化無しに耐えた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *非晶質 ,  *ポリイミド ,  フレキシブル基板 ,  *曲げ
準シソーラス用語： *酸化インジウムガリウム亜鉛 ,  酸化物半導体 ,  *プラスチック基板 ,  *有機発光ダイオード ,  *ディスプレイ ,  電界効果移動度 ,  サブスレショルド ,  閾値電圧 ,  バイアス安定性 ,  一様性

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 非晶質 ,  酸化インジウムガリウム亜鉛 ,  薄膜トランジスタ ,  ポリイミド ,  プラスチック基板 ,  フルカラー ,  有機発光ダイオード ,  ディスプレイ