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J-GLOBAL ID:200902218092546931   整理番号:05A1051750

ナノ寸法CMOSの生産性向上のためのSRAMアレーの故障確率のモデル化と統計的設計

Modeling of Failure Probability and Statistical Design of SRAM Array for Yield Enhancement in Nanoscaled CMOS
著者 (3件):
資料名:
巻: 24  号: 12  ページ: 1859-1880  発行年: 2005年12月 
JST資料番号: B0142C  ISSN: 0278-0070  CODEN: ITCSDI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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SRAMはセル内のトランジスタ素子の寸法やしきい値電圧が一致...
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分類 (2件):
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半導体集積回路  ,  電子・磁気・光学記録 

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