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J-GLOBAL ID：200902218181462253   整理番号：07A0128519

AlGaAs電流遮断層を用いた均一ドープ型InAs/GaAs量子ドット赤外線検出器

Uniformly doped InAs/GaAs quantum-dot infrared photodetectors with AlGaAs current blocking layer

著者 (2件)： PAL Debdas (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania, USA) ,  TOWE Elias (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania, USA)
資料名： 2005 5th IEEE Conference on Nanotechnology, Vol.1  (2005 5th IEEE Conference on Nanotechnology, Vol.1)
ページ： 418-421  発行年： 2005年 
JST資料番号： K20050119  ISBN： 0-7803-9199-3  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基本素子構造が50周期のInAs/GaAs量子ドットを含む,...

シソーラス用語： *赤外検出器 ,...
準シソーラス用語： 光応答 ,...

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分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaAs ,  遮断層 ,  ドープ ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  赤外線検出器