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J-GLOBAL ID：200902218229368289   整理番号：09A1151290

シリコン基板上に形成したBi_4-xLa_xTi₃O₁₂薄膜の優先配向の結晶化過程における変化

Change in Preferred Crystal Orientation of Bi_4-xLa_xTi₃O₁₂ Thin Films Formed on Silicon Substrate during Crystallization

著者 (4件)： 香野淳 (福岡大 理) ,  田尻恭之 (福岡大 理) ,  隅谷和嗣 (九州シンクロトロン光研究セ) ,  春木理恵 (日本原子力研究開発機構 先端基礎研究セ)
資料名： 福岡大学理学集報  (Fukuoka University Science Reports)
巻： 39  号： 2  ページ： 95-99  発行年： 2009年09月30日 
JST資料番号： L4851A  ISSN： 0386-118X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 強誘電性結晶BLT薄膜のSi基板上での結晶化過程と優先配向の形成過程についてシンクロトロン光を利用したX線回折法を用いて調べた。BLTの008回折の極点図測定からC-軸優先配向であることを確かめ,BLT薄膜中のc-軸の優先配向の形成過程が結晶化温度によって異なることを明らかにした。結晶化温度600°Cの場合には,c-軸が表面に対して垂直方向に配向した結晶と表面面内に配向した結晶とが存在し,時間とともに面内配向の結晶の方が優勢に成長し,表面垂直方向の結晶が減少することがわかった。一方,温度550°Cの場合には,表面面内方向にc-軸が配向した成分のみが観測された。これにより,c-軸の表面面内配向は基板の結晶構造と関係していることが示唆された。

シソーラス用語： *優先配向 ,  *結晶化 ,  *強誘電体 ,  *誘電体薄膜 ,  シンクロトロン放射 ,  *X線回折 ,  極点図 ,  基板 ,  ケイ素 ,  *チタン酸塩 ,  ランタン化合物 ,  ビスマス化合物 ,  配向
準シソーラス用語： シンクロトロン放射X線回折 ,  面内配向

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン基板 ,  薄膜 ,  優先配向 ,  結晶化 ,  過程