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J-GLOBAL ID：200902218555657339   整理番号：03A0138877

内部電子放出による光起電力素子構造

A photovoltaic device structure based on internal electron emission.
著者 (2件)：
MCFARLAND E W

MCFARLAND E W について

(Univ. California, California, USA)

Univ. California, California, USA について

, 
TANG J

TANG J について

(Univ. California, California, USA)

Univ. California, California, USA について


資料名：
Nature (London)  (Nature (London))

Nature (London) について


巻： 421  号： 6923  ページ： 616-618  発行年： 2003年02月06日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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超薄膜金属-半導体接合Schottkyダイオードの表面に蒸着...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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光起電力効果

光起電力効果 について

,...
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分類 (2件)：
分類
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光伝導,光起電力 
(BM03050J)

光伝導,光起電力 について

,  太陽電池 
(NC03084O)

太陽電池 について

タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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電子放出

電子放出 について

, 
光起電力素子

光起電力素子 について


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