AlGaN/GaN及びGaN/AlGaN/GaNヘテロ構造における分極効果

HEIKMAN S; KELLER S; WU Y; SPECK J S; DENBAARS S P; MISHRA U K

文献

J-GLOBAL ID：200902219038118564 整理番号：03A0446197

AlGaN/GaN及びGaN/AlGaN/GaNヘテロ構造における分極効果

Polarization effects in AlGaN/GaN and GaN/AlGaN/GaN heterostructures

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資料名：
巻： 93 号： 12 ページ： 10114-10118 発行年： 2003年06月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

サファイア基板上に堆積したAl_0.32...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

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