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J-GLOBAL ID：200902219323369066   整理番号：08A0816897

インデノフルオレンビス(ジシアノビニレン)を中心部とする空気に安定で溶液加工処理が可能なn-伝導性及び両極性半導体とそれらの薄膜トランジスタへの応用

Air-Stable, Solution-Processable n-Channel and Ambipolar Semiconductors for Thin-Film Transistors Based on the Indenofluorenebis(dicyanovinylene) Core

著者 (3件)： USTA Hakan (Northwestern Univ., Illinois) ,  FACCHETTI Antonio (Northwestern Univ., Illinois) ,  MARKS Tobin J. (Northwestern Univ., Illinois)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 130  号： 27  ページ： 8580-8581  発行年： 2008年07月09日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電界効果トランジスタ(FET)への利用を考慮し,溶液加工処理が可能な分子半導体の開発について,n-伝導性(電子輸送)半導体などを具体例として検討した。両端に3-長鎖アルキル置換-チオフェンを導入した電子不足性はしご型インデノフルオレンビス(ジシアノビニレン)(TIFDMT)骨格(単量体)と,これを構築単位とするビスチオフェン型共重合体(P-IFDMT4)は,後者でLUMOエネルギーが低くなり,ゲート電場誘起電子輸送体として空気中で安定に動作する。TIFDMTとP-IFDMT4の酸化還元及びフロンティア軌道特性,電界効果応答特性を明らかにし,前者を用いたFETデバイスが高い電子移動度を,後者を用いたデバイスが両極性の電子移動度と正孔移動度を有することを結論した。

シソーラス用語： *芳香族縮合炭化水素 ,  *化合物半導体 ,  高分子半導体 ,  薄膜トランジスタ ,  FET【トランジスタ】 ,  共重合体 ,  酸化還元電位 ,  フロンティア軌道
準シソーラス用語： *フルオレン類 ,  有機電界効果トランジスタ ,  有機薄膜トランジスタ

分類 (3件)： 炭素多環化合物一般  (CF06010S) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  分子構造と性質の実験的研究  (CB01020I)

物質索引 (2件)： 2,2′-[2,8-ビス(5-ブロモ-3-ドデシル-2-チエニル)インデノ[1,2-b]フルオレン-6,12-ジイリデン]ビスプロパンジニトリル ,  4,4′-ジドデシル-5,5′-ビス(トリブチルスタンニル)-2,2′-ビチオフェン

タイトルに関連する用語 (6件)： 中心部 ,  溶液 ,  加工処理 ,  極性半導体 ,  薄膜トランジスタ ,  応用