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J-GLOBAL ID：200902219494823369   整理番号：09A1123251

アセナフト[1,2-c]ホスホール P-オキシド:電子移動度の高いホスホール-ナフタレンπ共役系

Acenaphtho[1, 2-c]phosphole P-Oxide: A Phosphole-Naphthalene π-Conjugated System with High Electron Mobility

著者 (7件)： SAITO Arihiro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MIYAJIMA Tooru (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NAKASHIMA Makoto (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUKUSHIMA Tatsuya (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KAJI Hironori (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATANO Yoshihiro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  IMAHORI Hiroshi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Chemistry - European Journal  (Chemistry - European Journal)
巻： 15  号： 39  ページ： 10000-10004  発行年： 2009年 
JST資料番号： W0744A  ISSN： 0947-6539  CODEN： CEUJED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナフタレン-,アセナフテン-,アセナフチレン共役ホスホール誘導体を,対応するジアルキニル化アレーンのTi^II媒介環化によって合成することに初めて成功した。得られた化合物の光学的,電気化学的特性を比較した。アレーン骨格のπ共役モードは[c]-縮合ホスホール誘導体の光学特性に大きな影響を与えることが分かった。3つ種類のP-オキシドの中では,ナフタレン-及びアセナフテン縮合P-オキシドは,高圧真空蒸着を用いたデバイスの生成に耐えうる熱安定性を持つことが示された。更に,ナフタレン縮合ホスホールP-オキシドの電子移動度は,Alq₃と比較して任意の電子場において一桁大きい。ナフタレンとホスホール骨格の[c]-縮合は,電子移動度の高い新たなホスホールを基礎としたπ共役系の開発に重要な手段であるといえる。

シソーラス用語： 電子移動 ,  アルキニル化 ,  真空蒸着 ,  熱安定性 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  *ホスフィンオキシド ,  *リン複素環化合物 ,  *共役 ,  芳香族縮合化合物 ,  *キャリア移動度 ,  環化反応 ,  エネルギーギャップ ,  示差パルスボルタンメトリー ,  HOMO-LUMOギャップ ,  *π共役 ,  *電子移動度

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  有機りん化合物  (CF08040N)

物質索引 (7件)： 4,5,6-トリフェニル-5H-1,9-ジチア-5-ホスファ(V)-1H-トリンデン-5-オン ,  5,6-ジヒドロ-1,2,3-トリフェニル-4H-2-ホスファ(V)ペンタレン-2-オン ,  1,8-ビス(フェニルエチニル)ナフタレン ,  1,8-(1,2,5-トリフェニル-1H-ホスホール-3,4-ジイル)ナフタレン ,  1,8-(1,2,5-トリフェニル-1-オキソ-1H,1H,1H-ホスホール-3,4-ジイル)ナフタレン ,  1,2-ジヒドロ-5,6-ビス(フェニルエチニル)アセナフチレン ,  5,6-ビス(フェニルエチニル)アセナフチレン

タイトルに関連する用語 (3件)： オキシド ,  電子移動度 ,  ナフタレン