文献

J-GLOBAL ID：200902219852050440   整理番号：03A0300737

導電性ZrB₂基板を用いた高品質GaN成長

著者 (8件)： 福井伸次 (名城大 理工 HRC) ,  富田仁人 (名城大 理工 HRC) ,  新田州吾 (名城大 理工 HRC) ,  飯田一喜 (名城大 理工 HRC) ,  高浪俊 (名城大 理工 HRC) ,  大谷茂樹 (物質研) ,  松田敏哉 (京セラ) ,  木下博之 (京セラ)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 50th  号： 1  ページ： 408  発行年： 2003年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 金属性 ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0300737&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 導電性 ,  高品質 ,  GaN ,  成長