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J-GLOBAL ID：200902220256350744   整理番号：03A0323123

背面照射短波長赤外検出器のためのInAlAsバッファを使う波長延長GaAs上InGaAs

Extended wavelength InGaAs on GaAs using InAlAs buffer for back-side-illuminated short-wave infrared detectors

著者 (6件)： ZIMMERMANN L (Interuniv. Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  JOHN J (Interuniv. Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  DEGROOTE S (Interuniv. Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  BORGHS G (Interuniv. Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  VAN HOOF C (Interuniv. Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  NEMETH S (XenICs, Leuven, BEL)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 82  号： 17  ページ： 2838-2840  発行年： 2003年04月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs上の2.4μmまで感じる背面照射InGaAsフォトダ...

シソーラス用語： *赤外検出器 ,...

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分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 背面 ,  短波 ,  赤外検出器 ,  InAlAs ,  バッファ ,  波長 ,  GaAs ,  InGaAs