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J-GLOBAL ID：200902220371987900   整理番号：09A0969827

GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの光励起円偏光発振

Optically pumped circularly polarized lasing in a vertical-cavity surface-emitting laser on GaAs (110)

著者 (3件)： 黄晋二 (奈良先端科学技術大学院大) ,  藤野寛之 (奈良先端科学技術大学院大) ,  河口仁司 (奈良先端科学技術大学院大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 109  号： 173(EMD2009 26-58)  ページ： 83-88  発行年： 2009年08月13日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体レーザの活性層において電子スピン偏極を生じさせることにより,光学遷移選択則を介した円偏光レーザ発振が可能となる。GaAs(110)基板上の量子井戸は,数nsに及ぶ長い電子スピン緩和時間が得られるため,円偏光でレーザ発振するスピン半導体レーザの実現に有利な系である。我々は,GaAs(110)基板上のInGaAs/GaAs量子井戸を活性層とする面発光半導体レーザ(VCSEL)を作製し,そのレーザ発振特性を評価した。円偏光パルスによって活性層中にスピン偏極電子を生成し,世界初の(110)スピンVCSELにおける円偏光レーザ発振に成功した。77Kでは,活性層における長い電子スピン緩和時間(2.8ns)を反映し,0.94という極めて高い円偏光度のレーザ発振が観測された。(著者抄録)

シソーラス用語： *垂直共振器形面発光レーザ ,  ヒ化ガリウム ,  スピントロニクス ,  電子スピン ,  量子井戸 ,  レーザ発振 ,  円偏光
準シソーラス用語： *VCSEL

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  作製 ,  スピン ,  面発光 ,  半導体レーザ ,  光励起 ,  円偏光