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J-GLOBAL ID：200902220383246140   整理番号：09A0593245

アンモニアとの電熱反応によるグラフェンの窒素ドーピング

N-Doping of Graphene Through Electrothermal Reactions with Ammonia

著者 (8件)： WANG Xinran (Stanford Univ., CA, USA) ,  LI Xiaolin (Stanford Univ., CA, USA) ,  ZHANG Li (Stanford Univ., CA, USA) ,  YOON Youngki (Univ. Florida, FL, USA) ,  WEBER Peter K. (Lawrence Livermore National Lab.(LLNL), CA, USA) ,  WANG Hailiang (Stanford Univ., CA, USA) ,  GUO Jing (Univ. Florida, FL, USA) ,  DAI Hongjie (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： Science  (Science)
巻： 324  号： 5928  ページ： 768-771  発行年： 2009年05月08日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンモニア中の高出力電気加熱によりグラフェンナノリボン(GNRs)(幅10nm以下~150nm)を窒素ドーピングし,パラジウム金属ソース/ドレインと高ドープングシリコンバックゲートを用い,本GNRs上に室温で作動するn型FETを作製した。GNRsやFETのキャラクタリゼーションを原子間力顕微鏡観察,電流電圧特性測定,状態密度の計算等により行った結果,次のことが判明した。エッジは狭い幅の領域でGNRsバルク特性に化学的影響を及ぼす。グラフェン化学の制御は制御した制御したグラフェン電子工学に向けた重要なステップである。エッジドーピングはGNRsへのドーピングの新規アプローチである。エッジ形状の精密制御と組み合わせた本技術は,将来GNRs素子特性を正確に決定するかもしれない。

シソーラス用語： *グラファイト ,  *FET【トランジスタ】 ,  アンモニア ,  *ナノ構造 ,  N型半導体 ,  原子間力顕微鏡 ,  電流電圧特性 ,  X線光電子分光法 ,  窒素 ,  ドーピング ,  *電気加熱 ,  状態密度 ,  二次イオン質量分析 ,  半導体薄膜 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *ナノリボン

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： アンモニア ,  電熱 ,  グラフェン ,  窒素ドーピング