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J-GLOBAL ID：200902220387050835   整理番号：05A1008173

破壊電圧300V以下のスーパー3DMOSFETの超低比抵抗

Ultra Low On-resistance Super 3D MOSFET under 300V Breakdown Voltage

著者 (3件)： SAKAKIBARA Jun (DENSO CORP.) ,  URAKAMI Yasushi (DENSO CORP.) ,  YAMAGUCHI Hitoshi (DENSO CORP.)
資料名： DENSO Technical Review  (DENSO Technical Review)
巻： 10  号： 2  ページ： 39-43  発行年： 2005年11月15日 
JST資料番号： L3836A  ISSN： 1342-4114  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スーパー3DMOSFETの3次元コーナーにおける電界強度を考...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： トレンチゲート

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 破壊電圧 ,  比抵抗