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J-GLOBAL ID:200902220514973859   整理番号:09A1182353

めっきビスマス膜電極を用いたテルル(IV)のカソーディックストリッピングボルタンメトリー定量

Cathodic Stripping Voltammetric Determination of Tellurium(IV) with in situ Plated Bismuth-Film Electrode
著者 (2件):
資料名:
巻: 42  号: 13/15  ページ: 1997-2010  発行年: 2009年09月01日 
JST資料番号: B0926A  ISSN: 0003-2719  CODEN: ANALBP  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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グラファイト上にBiをin situ堆積させた膜電極を用いた,水溶液中の痕跡量のTe(IV)を定量するためのOsteryoung矩形波カソーディックストリッピングボルタンメトリー(OSWCSV)法を開発した。Te(IV)を含有する試料溶液に,塩酸,Bi(III),塩化カリウムを含有する試薬を添加する。Te(IV)を-400mVで30秒間還元後,OSWCSV測定を行った。還元されたTeによる触媒水素波が初期Te(IV)濃度に比例することを利用してTe(IV)の定量を行うことができた。OSWCSV法によるTe(IV)の定量の最適実験パラメータを調べ,3σ法による検出限界が1.0ng L-1という値が得られた。沿岸海水と河川水試料について分析を行い,良好な回収率を得た。
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分類 (1件):
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無機化合物の電気分析 

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