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J-GLOBAL ID：200902221057439503   整理番号：09A1035355

化学溶液堆積により作製したNaNbO₃-BaTiO₃薄膜の強誘電特性に及ぼすBaTiO₃濃度とMnドーピングの影響

Effects of BaTiO₃ Content and Mn Doping on Ferroelectric Properties of NaNbO₃-BaTiO₃ Thin Films Prepared by Chemical Solution Deposition

著者 (4件)： HAMAZAKI Yu-ichi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SAKAMOTO Wataru (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MORIYA Makoto (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YOGO Toshinobu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 9,Issue 2  ページ： 09KA08.1-09KA08.5  発行年： 2009年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学溶液堆積法により無鉛強誘電体NaNbO₃-BaTiO₃薄膜を作製した。Pt/TiO₂/SiO₂/Si基板上550°Cでペロブスカイト単相のNaNbO₃-BaTiO₃薄膜が得られた。NaNbO₃-BaTiO₃薄膜の強誘電特性はNaNbO₃-BaTiO₃のBaTiO₃濃度に依存した。種々のBaTiO₃濃度でのNaNbO₃-BaTiO₃膜中で,0.95NaNbO₃-0.05BaTiO₃薄膜は-190°Cで比較的高い分極を示すが,室温での膜の絶縁抵抗は十分には高くなかった。大気温度での電気抵抗率を改善するために0.95NaNbO₃-0.05BaTiO₃のMnドーピングを試験した。この膜の漏れ電流密度は少量のMnドーピングで著しく減少することが分かった。1.0mol%Mnドープの0.95NaNbO₃-0.05BaTiO₃薄膜は室温で形状が良くスリムな強誘電-電場(P-E)ヒステリシス曲線を示した。1.0mol%Mnドープの0.95NaNbO₃-0.05BaTiO₃薄膜における1kHzでの残留分極(P_r)及び抗電場(E_c)値はそれぞれ約5μC/cm²及び50kV/cmであった。さらに,1.0mol%Mnドープ0.95NaNbO₃-0.05BaTiO₃薄膜の強誘電P-E曲線は良好な周波数依存性を示し,1Hzと低い周波数で評価することができた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *強誘電体 ,  材料 ,  *ニオブ酸ナトリウム ,  チタン酸バリウム ,  置換型固溶体 ,  マンガン ,  添加物効果 ,  溶液成長 ,  *誘電体薄膜 ,  漏れ電流 ,  誘電分極 ,  ヒステリシス ,  周波数依存性 ,  絶縁抵抗 ,  残留分極 ,  抗電場
準シソーラス用語： 無鉛材料 ,  化学溶液堆積法 ,  ヒステリシス曲線

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (27件)：

• G. H. Haertling: J. Am. Ceram. Soc.82(1999)797.
• R. E. Jeager and L. Egerton: J. Am. Ceram. Soc.45(1962)208.
• Y. P. Guo, K. Kakimoto, and H. Ohsato: Appl. Phys. Lett.85(2004)4121.
• Y. Saito, H. Takao, T. Tani, T. Nonoyama, K. Takatori, T. Homma, T. Nagaya, and M. Nakamura: Nature 432(2004)84.
• M. Matsubara, T. Yamaguchi, W. Sakamoto, K. Kikuta, T. Yogo, and S. Hirano: J. Am. Ceram. Soc.88(2005)1190.

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学溶液堆積 ,  作製 ,  BaTiO3 ,  薄膜 ,  強誘電特性 ,  Mn ,  ドーピング