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J-GLOBAL ID：200902221157434398   整理番号：05A0425712

高濃度に酸素添加されたInNの電子状態

著者 (9件)： 山本哲也 (高知工科大) ,  牧野久雄 (東北大 金属材料研) ,  KIM J. J. (東北大) ,  CHEN P. P. (東北大) ,  山本あき勇 (福井大) ,  松岡隆志 (NTT) ,  高田恭孝 (理研) ,  池永英司 (高輝度光科学) ,  西野吉則 (理研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 52nd  号： 1  ページ： 383  発行年： 2005年03月29日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化インジウム ,...

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分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高濃度 ,  酸素添加 ,  InN ,  電子状態