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J-GLOBAL ID:200902221502461425   整理番号:08A0550035

Raman散乱によって研究したタイプI包接化合物の中心外れラトリングと非等方膨張

Off-Center Rattling and Anisotropic Expansion of Type-I Clathrates Studied by Raman Scattering
著者 (7件):
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巻: 100  号: 16  ページ: 165503.1-165503.4  発行年: 2008年04月25日 
JST資料番号: H0070A  ISSN: 0031-9007  CODEN: PRLTAO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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タイプI包接化合物,Sr8Ga16Si30-xGex及びBa8Ga16Si30-xGexでの,ゲストイオンの動きを,Raman散乱分光法で調べた。異常な熱輸送挙動を持つこれらの系における,ゲスト振動モードの役割を明らかにした。温度減少に伴うゲストエネルギーの異常減少を両系で観測した。Geドーピングは6dサイトを囲むケージを,Sr8Ga16Si30-xGexでは非等方的に,Ba8Ga16Si30-xGexでは等方的に膨張させた。特にSr8Ga16Si30-xGexでは,中心外れラトリングが非等方膨張と同時に起こった。
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分類 (1件):
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分子化合物 
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