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J-GLOBAL ID：200902221512601756   整理番号：08A0277159

Sc修飾エピタクシャル(Ba,Sr)TiO₃薄膜における誘電率及び弾性歪の異常膜厚依存性

Unusual thickness dependence of permittivity and elastic strain in Sc modified epitaxial (Ba,Sr)TiO3 thin films

著者 (6件)： PARK Woo Young (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  HWANG Cheol Seong (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  BANIECKI John D. (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi 243-0197, JPN) ,  ISHII Masatoshi (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi 243-0197, JPN) ,  KURIHARA Kazuaki (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi 243-0197, JPN) ,  YAMANAKA Kazunori (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi 243-0197, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 10  ページ： 102902  発行年： 2008年03月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無ドープ及びScドープエピタクシャル(Ba_0.6,Sr_0.4)Ti_1+xO₃(BST及びSBST)薄膜を,スパッタリングにより,エピタクシャルPt/SrTiO₃基板上に成長させた。BST膜のa_∥内及びa_n外格子パラメータは膜厚増大とともに緩和したが,SBST膜のa_∥は膜厚に依存しなかった。BST膜の誘電率(k)は,膜厚減少とともに低下し,SBST膜のkは著しく大きく,最大値をある厚さにおいて観測した。SBSTのセル体積の増大と相関した,この異常な挙動は,ドーピングにより,kの厚さ依存性を調整できることを実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ストロンチウム化合物 ,  *チタン酸塩 ,  *バリウム化合物 ,  誘電体薄膜 ,  エピタクシー ,  *スカンジウム ,  *ドーピング ,  *誘電率 ,  歪 ,  膜厚 ,  白金 ,  チタン酸ストロンチウム ,  基板 ,  格子定数 ,  *チタン酸バリウムストロンチウム ,  *弾性歪

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  弾性力学一般  (HC02010M)

タイトルに関連する用語 (9件)： Sc ,  修飾 ,  エピタクシャル ,  Ba ,  Sr ,  薄膜 ,  誘電率 ,  弾性歪 ,  膜厚依存性