文献

J-GLOBAL ID：200902221542777913   整理番号：07A1153107

横方向輸送幾何学配置でのシリコン中スピン分極キャリアに関する電気注入と検出

Electrical injection and detection of spin-polarized carriers in silicon in a lateral transport geometry

著者 (7件)： VAN ’T ERVE O. M. J. (Naval Res. Lab., Washington, DC 20375, USA) ,  HANBICKI A. T. (Naval Res. Lab., Washington, DC 20375, USA) ,  HOLUB M. (Naval Res. Lab., Washington, DC 20375, USA) ,  LI C. H. (Naval Res. Lab., Washington, DC 20375, USA) ,  AWO-AFFOUDA C. (Naval Res. Lab., Washington, DC 20375, USA) ,  THOMPSON P. E. (Naval Res. Lab., Washington, DC 20375, USA) ,  JONKER B. T. (Naval Res. Lab., Washington, DC 20375, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 91  号： 21  ページ： 212109-212109-3  発行年： 2007年11月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンを通る横方向拡散スピン輸送について,界面接触を用いた...

シソーラス用語： 半導体 ,...
準シソーラス用語： Hanle効果 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A1153107&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 横方向 ,  輸送 ,  幾何学 ,  シリコン ,  スピン分極 ,  キャリア ,  注入