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J-GLOBAL ID：200902221594368809   整理番号：08A0606568

半極性(1122)バルクGaN基板上に成長させた黄色発光ダイオードの光学的性質

Optical properties of yellow light-emitting diodes grown on semipolar (1122) bulk GaN substrates

著者 (11件)： SATO Hitoshi (Materials Dep. and Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  CHUNG Roy B. (Materials Dep. and Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  HIRASAWA Hirohiko (Materials Dep. and Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  FELLOWS Natalie (Materials Dep. and Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  MASUI Hisashi (Materials Dep. and Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  WU Feng (Materials Dep. and Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  SAITO Makoto (Materials Dep. and Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  FUJITO Kenji (Materials Dep. and Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  SPECK James S. (Materials Dep. and Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  DENBAARS Steven P. (Materials Dep. and Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  NAKAMURA Shuji (Materials Dep. and Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 22  ページ： 221110  発行年： 2008年06月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低拡張欠陥密度半極性(1122)バルクGaN基板上に有機金属化学気相成長法(MOCVD)で作製したピーク発光波長562.7nmを持つ高強度黄色InGaN単一量子井戸発光ダイオードを実証した。パルス動作(10%デューティサイクル)下,駆動電流20及び200mAにおける出力パワーと外部量子効率はそれぞれ5.9mW,13.4%及び29.2mW,6.4%であった。InGaN発光ダイオードの出力パワーの温度依存性はAlInGaP発光ダイオードのそれよりも有意に小さかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  黄 ,  光学的性質 ,  インジウム化合物 ,  量子井戸 ,  *化合物半導体 ,  半導体材料 ,  窒化ガリウム ,  MOCVD ,  量子効率 ,  温度依存性

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 半極性 ,  バルク ,  GaN ,  成長 ,  黄色 ,  発光ダイオード ,  光学的性質