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J-GLOBAL ID：200902221741646763   整理番号：08A1100026

アンドープ電子-正孔2層における輸送の層への相互依存性

Layer interdependence of transport in an undoped electron-hole bilayer

著者 (4件)： MORATH Christian P. (Sandia National Lab., New Mexico, USA) ,  SEAMONS John A. (Sandia National Lab., New Mexico, USA) ,  RENO John L. (Sandia National Lab., New Mexico, USA) ,  LILLY Mike P. (Sandia National Lab., New Mexico, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 78  号： 11  ページ： 115318.1-115318.7  発行年： 2008年09月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンドープ電子-正孔2層(UEHBL)素子において,輸送の層への相互依存性をキャリア密度,層間電場,温度の関数として調べた。UEHBLは,30nmAl_0.9Ga_0.1As障壁で分離された(100)GaAs量子井戸にある密度が調整可能な独立した2次元電子ガスと2次元正孔ガスから成る。これらガスは頂上と底にある電極の電場効果によって生じた。2次元電子ガス密度を増やすと,2次元正孔ガスの移動度が高くなった。2次元電子ガスの移動度は2次元正孔ガス密度には少ししか依存しなかった。移動度-密度の測定で表面ゲート電圧が変化するのが観測された。層間電場を低下して,層間隔を大きくすると,2次元正孔ガスの移動度が高くなったが,2次元電子ガス移動度は殆ど影響を受けなかった。層間電場変化としての層間隔変化は2次元正孔ガスのCoulombドラッグ測定から評価した。正孔輸送の見かけ上層間隔依存性が生じる原因を論じた。

シソーラス用語： ヒ化ガリウムアルミニウム ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  量子井戸 ,  *二次元電子ガス ,  正孔 ,  *キャリア移動度 ,  キャリア密度 ,  ゲート【半導体】 ,  電場効果 ,  温度依存性
準シソーラス用語： *二次元正孔ガス ,  Coulombドラッグ

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子 ,  正孔 ,  2層 ,  輸送 ,  層 ,  相互依存性