光照射あるいはポテンシャル制御条件下でのWO<sub>3</sub>電極の表面濡れ挙動

MIYAUCHI Masahiro; SHIBUYA Masachika; ZHAO Zhi-Gang; LIU Zhifu

文献

J-GLOBAL ID：200902221848966698 整理番号：09A0772167

光照射あるいはポテンシャル制御条件下でのWO₃電極の表面濡れ挙動

Surface Wetting Behavior of a WO₃ Electrode under Light-Irradiated or Potential-Controlled Conditions

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資料名：
巻： 113 号： 24 ページ： 10642-10646 発行年： 2009年06月18日
JST資料番号： W1877A ISSN： 1932-7447 CODEN： JPCCCK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

透明な導電性基体上にデポジットされたWO₃電極上での光照射あるいはポテンシャル制御条件下でのWO₃電極の表面濡れ挙動を研究した。さらに様々な雰囲気条件下でのWO₃の濡れ性転換も評価し,WO₃の親水性反応のメカニズムを議論した。還元された酸化タングステンは親水性転換を示したが,5°未満の水接触角での超親水性とはならなかった。WO₃上での超親水性は陽極分極でのバンドギャップ励起下で進行し,WO₃の表面上での光生成ホールが超親水性転換に不可欠であることが示された。光生成されたホールの役割は,表面汚染物質の酸化およびWO₃中での表面構造変化の2つの可能な作用を含むものと考えられた。得られた結果が,WO₃材料に基づく超親水性膜を設計するために非常に貴重であることが示された。

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固-液界面

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光照射あるいはポテンシャル制御条件下でのWO3電極の表面濡れ挙動

光照射あるいはポテンシャル制御条件下でのWO₃電極の表面濡れ挙動