高周波マグネトロンスパッタリングによって堆積したMgTiO<sub>3</sub>薄膜の構造及び電気特性

HUANG C-L; PAN C-L

文献

J-GLOBAL ID：200902222112451301 整理番号：04A0909283

高周波マグネトロンスパッタリングによって堆積したMgTiO₃薄膜の構造及び電気特性

Structure and electrical properties of MgTiO₃ thin films deposited by rf magnetron sputtering

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巻： 22 号： 6 ページ： 2440-2445 発行年： 2004年11月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

高周波デバイスの素材として高Q値など優れた性質を備えているM...

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酸化物薄膜 , 金属-絶縁体-半導体構造

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高周波マグネトロンスパッタリングによって堆積したMgTiO3薄膜の構造及び電気特性

高周波マグネトロンスパッタリングによって堆積したMgTiO₃薄膜の構造及び電気特性