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J-GLOBAL ID：200902222132850156   整理番号：09A0343367

MEMSデバイス関係の半導体プロセスとエレセラ材料技術のせめぎあい ガラスのレーザーダイシング

著者 (1件)： 藤田雅之 (レーザー技術総合研)
資料名： Materials Integration  (Materials Integration)
巻： 22  号： 4  ページ： 29-32  発行年： 2009年03月25日 
JST資料番号： L0595A  ISSN： 1344-7858  CODEN： MINTFB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ガラス内部にレーザー光を集光すると内部クラックが形成されることが知られている。本稿では,レーザーでガラス内部に形成したクラックを熱割断のガイドとして利用したダイシング法を紹介した。本法は次の2つのプロセスで構成されている。パルスレーザーをウェハ内部に集光しクラックを形成し,レーザー走査とともに集光点を深さ方向に変えて内部クラック層を形成する。次に,CO2レーザ一による熱応力を加え内部クラック層に沿って割断を行う。加工試料としてソーダライムガラス,パイレックスガラスを用いて,内部加工用レーザーにTi:SapphireレーザーとNd:YAGレーザーを,また,形成された内部クラックに熱応力を加え割断するために出力25WのCO2レーザーを用い実験を行った。Ti:Sapphireレーザーで形成される内部クラックは幅20μm以下であり,Nd:YAGレーザーで形成される内部クラックはTi:Sapphireレーザーよりは大きいが,チップに分割する際の力が減少できた。CO2レーザー照射により,試料は内部クラックに沿って割断され,ガラスウエバを3mm角のチップにダイシングすることに成功した。

シソーラス用語： *切削 ,  *ガラス ,  内部亀裂 ,  *切断 ,  *熱応力 ,  *パルスレーザ照射 ,  炭酸ガスレーザ ,  サファイアレーザ ,  Nd-YAGレーザ ,  Ti-サファイアレーザ
準シソーラス用語： *ダイシング ,  *割断法

分類 (1件)： ガラスの製造  (YC02020O)

タイトルに関連する用語 (5件)： MEMSデバイス ,  半導体プロセス ,  ガラス ,  レーザー ,  ダイシング