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J-GLOBAL ID：200902222229256208   整理番号：09A0455614

非晶質ゲルマニウムの金属誘起結晶化のその場X線回折研究

In situ x-ray diffraction study of metal induced crystallization of amorphous germanium

著者 (6件)： KNAEPEN W. (Vakgroep Vaste-stofwetenschappen, Ghent Univ., Krijgslaan 281/S1, 9000 Ghent, BEL) ,  GAUDET S. (Ecole Polytechnique de Montreal, Montreal, Quebec H3T 1J4, CAN) ,  DETAVERNIER C. (Vakgroep Vaste-stofwetenschappen, Ghent Univ., Krijgslaan 281/S1, 9000 Ghent, BEL) ,  VAN MEIRHAEGHE R. L. (Vakgroep Vaste-stofwetenschappen, Ghent Univ., Krijgslaan 281/S1, 9000 Ghent, BEL) ,  SWEET J. Jordan (IBM Thomas J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  LAVOIE C. (IBM Thomas J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 105  号： 8  ページ： 083532  発行年： 2009年04月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属誘起結晶化(MIC)は非晶質半導体の結晶化温度を低下させる一手法である。プロセスは主に非晶質シリコン(a-Si)結晶化に威力を及ぼし,これに対する多くの研究が既になされている。非晶質Ge(a-Ge)のMIC研究はNiかAl使用に限られている。この論文では20の遷移金属(Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Re,Fe,Ru,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Pt,Cu,Ag,Au,Al)の存在におけるGe薄膜の結晶化挙動の特性評価に焦点をあてた。初期結晶化温度を最も低下する7種の金属に対して結晶化プロセスの力学を系統的に調べた。加えて,金属薄膜の厚さの影響をAuとAl薄膜の場合に測定した。a-Geとa-Siへの各種金属の影響比較を行い,類似性と相違をMICプロセスに対する既存モデルを使い検討した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *結晶化 ,  *非晶質半導体 ,  *ゲルマニウム ,  金属薄膜 ,  遷移金属 ,  半導体薄膜 ,  *晶出温度 ,  X線回折 ,  試験 ,  実験 ,  晶析速度 ,  *金属誘起結晶化 ,  厚み依存性
準シソーラス用語： *結晶化温度 ,  結晶化動力学 ,  厚さ依存性

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非晶質 ,  ゲルマニウム ,  金属誘起結晶化 ,  X線回折 ,  研究