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J-GLOBAL ID:200902222421886630   整理番号:09A0044071

酸化物エレクトロニクスはどこへ

Whither Oxide Electronics?
著者 (2件):
資料名:
巻: 33  号: 11  ページ: 1006-1011  発行年: 2008年11月 
JST資料番号: W1595A  ISSN: 0883-7694  CODEN: MRSBEA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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この論文では,「酸化物エレクトロニクスはどこへ」という問題に対して答えることを試みた。過去数十年にわたる酸化物エレクトロニクスの分野における進展とこれからの発展について解説した。酸化物高温超伝導体と,強誘電体メモリを例に上げ解説した。また,相関酸化物のモデルシステムとして反強磁性絶縁体LaMnO3と巨大磁気抵抗GMRとCMRを例に上げ,相関電子物質を解説した。さらに,SrTiO3とBaTiO3を交互に積層した層状エピタキシャルヘテロ構造等により,酸化物での原子スケール工学による酸化物エレクトロニクスの可能性を解説した。酸化物薄膜ヘテロ構造の形成を含めて,複合酸化物の科学において劇的な発展があることを信じている。
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分類 (3件):
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その他の無機化合物の電気伝導  ,  酸化物系超伝導体の物性  ,  電子・磁気・光学記録 
タイトルに関連する用語 (1件):
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