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J-GLOBAL ID：200902222623689560   整理番号：03A0300742

傾斜組成多層膜バッファ層と中間層を用いたSi(111)基板上クラックフリーGaN薄膜の成長

著者 (4件)： 柴田知己 (日本工大) ,  KIM S-W (日本工大) ,  芳賀一弘 (秩父富士) ,  鈴木敏正 (日本工大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 50th  号： 1  ページ： 410  発行年： 2003年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 多層膜 ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： 傾斜組成 ,  多層膜 ,  バッファ層 ,  中間層 ,  Si ,  クラック ,  GaN ,  薄膜 ,  成長