不揮発性フラッシュメモリ用のポリイミド層中に埋込んだNi<sub>1-x</sub>Fe<sub>x</sub>ナノ結晶の作製と電気特性

KIM J H; JIN J Y; JUNG J H; LEE I; KIM T W; LIM S K; YOON C S; KIM Y-H

文献

J-GLOBAL ID：200902222656778193 整理番号：05A0197021

不揮発性フラッシュメモリ用のポリイミド層中に埋込んだNi_1-xFe_xナノ結晶の作製と電気特性

Formation and electrical properties of Ni_1-xFe_x nanocrystals embedded in a polyimide layers for applications as nonvolatile flash momories

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資料名：
巻： 86 号： 3 ページ： 032904.1-032904.3 発行年： 2005年01月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Si(100)基板上にポリイミド(PI)間にx=0.2の標記...

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金属-絶縁体-半導体構造 , 半導体集積回路

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不揮発性フラッシュメモリ用のポリイミド層中に埋込んだNi1-xFexナノ結晶の作製と電気特性

不揮発性フラッシュメモリ用のポリイミド層中に埋込んだNi_1-xFe_xナノ結晶の作製と電気特性