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J-GLOBAL ID:200902222724722185   整理番号:03A0656853

1.1Vの低電圧で動作する0.18μm・SBTベース埋込みFeRAM

0.18μm SBT-Based Embedded FeRAM Operating at a Low Voltage of 1.1V
著者 (9件):
資料名:
巻: 2003  ページ: 171-172  発行年: 2003年 
JST資料番号: A0035B  ISSN: 0743-1562  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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FeRAMは低電力動作システムLSIのために最も有望な埋込み...
シソーラス用語:
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分類 (2件):
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半導体集積回路  ,  固体デバイス材料 
タイトルに関連する用語 (4件):
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