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J-GLOBAL ID：200902223143399320   整理番号：07A1231163

0.13μm RF nMOSFETにおけるSTI効果がフリッカ雑音に及ぼす影響

Impact of STI Effect on Flicker Noise in 0.13-μm RF nMOSFETs

著者 (5件)： CHAN Chih-Yuan (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Yu-Syuan (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  HUANG Yen-Chun (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  HSU Shawn S. H. (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  JUANG Ying-Zong (National Chip Implementation Center, Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 54  号： 12  ページ： 3383-3392  発行年： 2007年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報告は0.13μm RF nMOSFETにおけるフリッカ雑...

シソーラス用語： *サブミクロン加工 ,...
準シソーラス用語： *フリッカ雑音

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  雑音測定  (ND04030F)

タイトルに関連する用語 (4件)： RF ,  nMOSFET ,  STI ,  フリッカ雑音