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J-GLOBAL ID：200902223180985213   整理番号：03A0338382

ダイヤモンド中の空格子点-Ni-空格子点欠陥に対する電子状態計算

Electronic structure calculations of vacancy-Ni-vacancy in diamond.

著者 (1件)： 石井信彦 (福井工大)
資料名： 福井工業大学研究紀要  (Memoirs of Fukui University of Technology)
号： 33 第1部  ページ： 359-366  発行年： 2003年03月20日 
JST資料番号： X0305A  ISSN： 0286-8571  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 化学蒸着で調製したダイヤモンド薄膜についてのESR信号の起源...

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,...

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分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  金属・半導体のEPR  (BM07022M)

タイトルに関連する用語 (5件)： ダイヤモンド ,  空格子点 ,  Ni ,  格子点欠陥 ,  電子状態計算