GaInNAs/GaAs量子井戸のキャリア動力学の光ルミネセンスによる評価

NG T K; YOON S F; WANG S Z; LIN L-H; OCHIAI Y; MATSUSUE T

文献

J-GLOBAL ID：200902223199526961 整理番号：03A0637690

GaInNAs/GaAs量子井戸のキャリア動力学の光ルミネセンスによる評価

Photoluminescence characterization of GaInNAs/GaAs quantum well carrier dynamics

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=03A0637690&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0637690&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 94 号： 5 ページ： 3110-3114 発行年： 2003年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

アニールを加えた6nm厚の標記量子井戸(QW)からの光ルミネ...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0637690&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

半導体のルミネセンス , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

, , , , ,

前のページに戻る