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J-GLOBAL ID：200902223290701253   整理番号：06A0307262

プラズマCVDによるカーボンナノチューブ合成のガス相成長環境の数値シミュレーション

NUMERICAL SIMULATION OF GAS PHASE GROWTH ENVIRONMENT OF CARBON NANOTUBE SYNTHESIS BY PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
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著者 (3件)：
GARG R.K.

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(Purdue Univ., IN, USA)

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, 
GORE J.P.

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(Purdue Univ., IN, USA)

Purdue Univ., IN, USA について

, 
FISHER T.S.

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(Purdue Univ., IN, USA)

Purdue Univ., IN, USA について


資料名：
ASME. HTD (American Society of Mechanical Engineers. Heat Transfer Div.)  (ASME. HTD (American Society of Mechanical Engineers. Heat Transfer Div.))

ASME. HTD (American Society of Mechanical Engineers. Heat Transfer Div.) について


巻： 376  号： Vol.1  ページ： 213-220  発行年： 2005年 
JST資料番号： D0778B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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PECVD(プラズマ化学蒸着)反応器内におけるカーボンナノチ...
シソーラス用語：
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*プラズマCVD

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CH3

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分類 (1件)：
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炭素とその化合物 
(YB02060D)

炭素とその化合物 について

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プラズマCVD

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ガス相

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環境

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, 
数値シミュレーション

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