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J-GLOBAL ID：200902223301847972   整理番号：09A0420859

(0001)Al_0.82Ga_0.18N/AlN量子井戸からの強い222nm表面発光

Intense Surface Emission at 222 nm from(0001) Al_0.82Ga_0.18N/AlN Quantum Wells

著者 (3件)： BANAL R. G. (Kyoto Univ.) ,  FUNATO M. (Kyoto Univ.) ,  KAWAKAMI Y. (Kyoto Univ.)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 1  ページ： 417  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *量子井戸 ,  半導体材料 ,  *窒化アルミニウム ,  *発光 ,  *偏光 ,  結晶場 ,  *量子閉込め ,  *光ルミネセンス ,  スイッチング ,  *ガリウム化合物 ,  *アルミニウム化合物 ,  窒化物
準シソーラス用語： *窒化ガリウムアルミニウム

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (2件)： AlN ,  量子井戸